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behlke高壓開(kāi)關(guān)HTS 120-500-SCR用于并聯(lián)

behlke高壓開(kāi)關(guān)HTS 120-500-SCR用于并聯(lián),這些固態(tài)開(kāi)關(guān)是為高壓高峰值電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如壓電驅(qū)動(dòng)器、閃光燈驅(qū)動(dòng)器、斷路電路和浪涌發(fā)生器。

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behlke高壓開(kāi)關(guān)HTS 120-500-SCR用于并聯(lián)


這些固態(tài)開(kāi)關(guān)是為高壓高峰值電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如壓電驅(qū)動(dòng)器、閃光燈驅(qū)動(dòng)器、斷路電路和浪涌發(fā)生器。

這里描述的開(kāi)關(guān)模塊是在具有非常高的浪涌電流能力的特殊類(lèi)型的SCR (硅控制整流器)的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的。

每個(gè)開(kāi)關(guān)模塊由大量串聯(lián)和并聯(lián)連接的SCR組成。


所有SCR的極快速同步導(dǎo)通是由特殊的低阻抗驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)的,該電路還提供了與控制輸入的電偶極隔離。

內(nèi)部電流路徑在雜散電感方面進(jìn)行了優(yōu)化,允許極快的開(kāi)通電流變化率。

與傳統(tǒng)的火花間隙、電子管、氣體放電管和機(jī)械開(kāi)關(guān)等高壓開(kāi)關(guān)相比,串聯(lián)HTS-SCR

的晶閘管開(kāi)關(guān)具有非常低的抖動(dòng)和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性,不受溫度和年齡。平均故障間隔時(shí)間(MTBF)比經(jīng)典的高壓開(kāi)關(guān)

高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)。


防干擾控制電路提供信號(hào)調(diào)節(jié)、輔助電壓監(jiān)測(cè)、頻率限制和溫度保護(hù)。

在錯(cuò)誤操作條件下,開(kāi)關(guān)立即關(guān)閉并生成故障信號(hào)。一個(gè)特殊的同步輸入允許最多50個(gè)開(kāi)關(guān)模塊的并行互連,

以增加單個(gè)模塊的導(dǎo)通峰值電流。

開(kāi)關(guān)由振幅為3至10伏的正通電信號(hào)觸發(fā)。觸發(fā)后,SCR開(kāi)關(guān)將保持導(dǎo)通狀態(tài),直到負(fù)載電流下降到保持電流以下(典

型的晶閘管特性)。關(guān)斷過(guò)程需要電流換相、電流限制或電流旁路。在大多數(shù)放電應(yīng)用中,可以通過(guò)將儲(chǔ)能電容器的

充電電流保持在開(kāi)關(guān)的保持電流以

下來(lái)實(shí)現(xiàn)關(guān)斷過(guò)程。

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充電電流高于保持電流需要一個(gè)旁路開(kāi)關(guān),最好采用MOSFET技術(shù)。如果分別用感應(yīng)負(fù)載在交流電的情況下操作,

則晶閘管開(kāi)關(guān)會(huì)在負(fù)載電流換相時(shí)自動(dòng)斷開(kāi),前提是負(fù)半波持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)于斷開(kāi)時(shí)間t。如果周期持續(xù)時(shí)間小于1ms,

則應(yīng)在開(kāi)關(guān)上并聯(lián)一個(gè)快速自由輪二極管,以避免在斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)危險(xiǎn)的過(guò)電壓尖峰。由于電勢(shì)隔離,

開(kāi)關(guān)也可以在高側(cè)電路中簡(jiǎn)單地操作。

塑料外殼是低功率耗散應(yīng)用中的經(jīng)濟(jì)型標(biāo)準(zhǔn)包裝。為了增加最大連續(xù)功率耗散,

模塊可以另外配備非隔離冷卻翅片(選項(xiàng)04)。


HTS 120-500-SCR技術(shù)參數(shù)

描述 同步,用于并聯(lián)的 I/O

最大電壓[kV] 12

峰值電流[A] 5000

峰值功率 [MW] 60

上升時(shí)間[μs] 35…∞

尺寸[mm3]122 x 64 x 31


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